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              MOS場效應管的基本結構和工作原理-mos場效應管和結型場效應管有什么區別
              - 2021-01-19-

                MOS場效應管的基本結構和工作原理-mos場效應管和結型場效應管有什么區別


                很多人對MOS場效應管的工作原理、基本結構和檢測方法不是很了解,尤其對于電工來說,如果有一個直觀的概念可能在日常工作中能節省很多時間,而小編今天就搜集了整個對MOS場效應管的詳細介紹,希望對各位電工朋友有所幫助。MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型。特點:金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(高可達1015)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。MOS場效應管的基本結構和工作原理MOS場效應三極管分為:增強型(又有N溝道、P溝道之分)及耗盡型(分有N溝道、P溝道)。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號。其中:電極D(Drain)稱為漏極,相當雙極型三極管的集電極;電極G(Gate)稱為柵極,相當于的基極;電極S(Source)稱為源極,相當于發射極。1、N溝道增強型MOSFET(1)結構根據圖1,N溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構,它是在P型半導體上生成一層SiO2...

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