<output id="jmbg5"><s id="jmbg5"><table id="jmbg5"></table></s></output>

    1. <s id="jmbg5"></s>
    2. <rt id="jmbg5"><ruby id="jmbg5"></ruby></rt>

        <em id="jmbg5"></em>
          <tt id="jmbg5"><i id="jmbg5"><sub id="jmbg5"></sub></i></tt>
            <samp id="jmbg5"><source id="jmbg5"></source></samp>
            1. Banner
              首頁 > 新聞動態 > 內容
              MOS場效應管的基本結構和工作原理
              - 2020-04-07-

                很多人對MOS場效應管的工作原理、根本結構和檢測方法不是很了解,尤其關于電工來說,如果有一個直觀的概念可能在日常工作中能節約很多時刻,而小編今日就搜集了整個對MOS場效應管的具體介紹,希望對各位電工朋友有所協助。

                MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型。特點:金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因而具有很高的輸入電阻(zui高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。

                MOS場效應三極管分為:增強型(又有N溝道、P溝道之分)及耗盡型(分有N溝道、P溝道)。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號。其間:電極D(Drain)稱為漏極,相當雙極型三極管的集電極;

                電極G(Gate)稱為柵極,相當于的基極;

                電極S(Source)稱為源極,相當于發射極。

                1、N溝道增強型MOSFET

               ?。?)結構

                N溝道增強型MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲結構,它是在P型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區,從N型區引出電極,一個是漏極D,一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底,用符號B表明(2)工作原理

               ?、贃旁措妷篤GS的控制效果

                當VGS=0 V時,漏源之間相當兩個背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓不會在D、S間構成電流。

                當柵極加有電壓時,若0<VGS<VGS(th)時,經過柵極和襯底間的電容效果,將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排擠,呈現了一薄層負離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運動,但數量有限,不足以構成溝道,將漏極和源極溝通,所以仍然不足以構成漏極電流ID。

                進一步添加VGS,當VGS>VGS(th)時(VGS(th)稱為敞開電壓),由于此刻的柵極電壓現已比較強,在靠近柵極下方的P型半導體表層中集合較多的電子,可以構成溝道,將漏極和源極溝通。如果此刻加有漏源電壓,就可以構成漏極電流ID。在柵極下方構成的導電溝道中的電子,因與P型半導體的載流子空穴極性相反,故稱為反型層。隨著VGS的持續添加,ID將不斷添加。在VGS=0V時ID=0,只有當VGS>VGS(th)后才會呈現漏極電流,這種MOS管稱為增強型MOS管。VGS對漏極電流的控制聯系可用iD=f(vGS)|VDS=const這一曲線描述,稱為轉移特性曲線。

                轉移特性曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制效果。gm的量綱為mA/V,所以gm也稱為跨導。

                跨導的界說式如下:

                gm=△ID/△VGS|VDS=const(單位mS)(1)

               ?、诼┰措妷篤DS對漏極電流ID的控制效果

                當VGS>VGS(th),且固定為某一值時,來剖析漏源電壓VDS對漏極電流ID的影響。VDS的不同變化對溝道的影響。有如下聯系

                VDS=VDG+VGS=-VGD+VGS

                VGD=VGS-VDS

                當VDS為0或較小時,相當VGD>VGS(th),溝道分布,此刻VDS根本均勻降落在溝道中,溝道呈斜線分布。在緊靠漏極處,溝道到達敞開的程度以上,漏源之間有電流經過。

                當VDS添加到使VGD=VGS(th)時,溝道。這相當于VDS添加使漏極處溝道縮減到剛剛敞開的狀況,稱為預夾斷,此刻的漏極電流ID根本飽和。當VDS添加到VGD<VGS(th)時。此刻預夾斷區域加長,伸向S極。VDS添加的部分根本降落在隨之加長的夾斷溝道上,ID根本趨于不變。

                當VGS>VGS(th),且固定為某一值時,VDS對ID的影響,即iD=f(VDS)|VGS=const這一聯系曲線。這一曲線稱為漏極輸出特性曲線。

                2、N溝道耗盡型MOSFET

                N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS=0時,這些正離子現已感應出反型層,構成了溝道。所以,只需有漏源電壓,就有漏極電流存在。當VGS>0時,將使ID進一步添加。VGS<0時,隨著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應ID=0的VGS稱為夾斷電壓,用符號VGS(off)表明,有時也用VP表明。

                3、P溝道耗盡型MOSFET

                P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,只不過導電的載流子不同,供電電壓極性不同罷了。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。


              动漫番肉在线观看播放免费